Integrated Device Technology (IDT) 71V416S12BE
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71V416S12BE
1179-71V416S12BE
存储器
TFBGA
大陆
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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
1最小包装量--
71V416S12BE详情
Integrated Device Technology (IDT) 71V416S12BE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TFBGA
引脚数
48
Memory Types
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版
2012
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
4 (72 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
引脚数量
48
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
内存大小
512kB
端口的数量
1
电源电流
180mA
访问时间
12 ns
地址总线宽度
18b
密度
4 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
长度
9mm
宽度
9mm
器件厚度
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
71V416S12BE拓展信息
IDT
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