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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥182.498282
10
¥172.168191
100
¥162.42282
500
¥153.229075
1000
¥144.555732
Integrated Device Technology (IDT) 71V67703S80BQ
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- 对比
71V67703S80BQ
1179-71V67703S80BQ
无类别的
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SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
--最小包装量--
¥
总价: ¥
71V67703S80BQ详情
Integrated Device Technology (IDT) 71V67703S80BQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
165
Frequency(Max)
100MHz
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
165
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.465V
最小电源电压
3.135V
内存大小
1.1MB
端口的数量
1
电源电流
210mA
访问时间
8 ns
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
18b
密度
9 Mb
待机电流-最大值
0.05A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
15mm
宽度
13mm
器件厚度
1.2mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
71V67703S80BQ拓展信息







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