Integrated Device Technology (IDT) 72V2111L15PFI8
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72V2111L15PFI8
1179-72V2111L15PFI8
逻辑 - FIFO 存储器
LQFP
大陆
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FIFO Mem Sync Dual Depth/Width Uni-Dir 512K x 9 64-Pin TQFP T/R
1最小包装量--
72V2111L15PFI8详情
Integrated Device Technology (IDT) 72V2111L15PFI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
LQFP
引脚数
64
Frequency(Max)
66.7MHz
包装
Tape & Reel
已出版
2008
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
64
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
64
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.45V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15V
元素配置
Dual
最大电源电流
55mA
访问时间
10 ns
数据总线宽度
9b
组织结构
512KX9
密度
4.5 Mb
待机电流-最大值
0.02A
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
总线定向
单向
重传能力
有
输出启用
YES
周期
15 ns
长度
14mm
座位高度(最大)
1.6mm
宽度
14mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
72V2111L15PFI8拓展信息
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