Integrated Device Technology (IDT) 72V2113L10PFI
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72V2113L10PFI
1179-72V2113L10PFI
逻辑 - FIFO 存储器
TQFP
大陆
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FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
1最小包装量--
72V2113L10PFI详情
Integrated Device Technology (IDT) 72V2113L10PFI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
包装/外壳
TQFP
底架
表面贴装
触点镀层
Lead, Tin
引脚数
80
质量
513.60831mg
Frequency(Max)
100MHz
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
80
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.65mm
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
80
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
最大电源电压
3.45V
最小电源电压
3.15V
内存大小
512kB
元素配置
Dual
电源电流
35mA
最大电源电流
35mA
访问时间
6.5 ns
数据总线宽度
18b
组织结构
256KX18
密度
4.5 Mb
待机电流-最大值
0.015A
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Synchronous
内存IC类型
其他先进先出
总线定向
单向
重传能力
有
输出启用
YES
周期
10 ns
宽度
14mm
长度
14mm
高度
1.4mm
器件厚度
1.4mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
72V2113L10PFI拓展信息
IDT
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