F1241NBGI
F1241NBGI

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Integrated Device Technology (IDT) F1241NBGI

  • 收藏
  • 对比

型号

F1241NBGI

utmel 编号

1179-F1241NBGI

商品类别

射频放大器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Amp Chip Dual Gain Amplifier 500MHz 5.25V 32-Pin VFQFPN Tray

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
F1241NBGI
F1241NBGI Integrated Device Technology (IDT) RF Amp Chip Dual Gain Amplifier 500MHz 5.25V 32-Pin VFQFPN Tray

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

F1241NBGI详情

Integrated Device Technology (IDT) F1241NBGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    32

  • Power Dissipation (Max)

    1.5W

  • 已出版

    2007

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    32

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8542.33.00.01

  • 端子位置

    QUAD

  • 功能数量

    2

  • 电源电压

    5V

  • 频率

    500MHz

  • 引脚数量

    32

  • 工作电源电压

    5V

  • 电源

    5V

  • 测试频率

    500MHz

  • 模拟 IC - 其他类型

    模拟电路

  • 工作电源电流

    176mA

  • 增益

    20.2 dB

  • 噪声图

    5.5 dB

  • P1dB

    20.4 dBm

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    5mm

  • 器件厚度

    800μm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) F1241NBGI.

F1241NBGI拓展信息

F2915NBGK
F2915NBGK

Integrated Device Technology (IDT)

F1653NLGI
F1653NLGI

Integrated Device Technology (IDT)

F1240NBGI
F1240NBGI

Integrated Device Technology (IDT)

F2914NBGK
F2914NBGK

Integrated Device Technology (IDT)

F2923NCGI
F2923NCGI

Integrated Device Technology (IDT)

F0502NLGI
F0502NLGI

Integrated Device Technology (IDT)

F1206NBGI8
F1206NBGI8

Integrated Device Technology (IDT)

F1207NBGI8
F1207NBGI8

Integrated Device Technology (IDT)

F1200NBGI8
F1200NBGI8

Integrated Device Technology (IDT)

F1207NBGI
F1207NBGI

Integrated Device Technology (IDT)

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z