Integrated Device Technology (IDT) ICS181MI-01LF
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ICS181MI-01LF
1179-ICS181MI-01LF
时钟/定时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
SOIC
大陆
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IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC
1最小包装量--
ICS181MI-01LF详情
Integrated Device Technology (IDT) ICS181MI-01LF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOIC
Frequency(Max)
75MHz
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
电源电压
3.3V
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
温度等级
INDUSTRIAL
电路数量
1
输入
Clock
主时钟/晶体频率-名
75MHz
锁相环
有
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
符合RoHS标准
ICS181MI-01LF拓展信息
IDT
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