Integrated Device Technology (IDT) IDT6116LA45SOI
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IDT6116LA45SOI
1179-IDT6116LA45SOI
存储器
SOIC
大陆
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IC SRAM 16KBIT 45NS 24SOIC
1最小包装量--
IDT6116LA45SOI详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT6116LA45SOI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOIC
引脚数
24
Memory Types
RAM, SRAM - Asynchronous
包装
Rail/Tube
已出版
2008
JESD-609代码
e0
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
24
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
5V
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
24
资历状况
不合格
工作电源电压
5V
电源
5V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
5.5V
最小电源电压
4.5V
端口的数量
1
电源电流
95mA
访问时间
45 ns
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
地址总线宽度
11b
密度
16 kb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
待机电压-最小值
2V
座位高度(最大)
2.65mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IDT6116LA45SOI拓展信息
IDT
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