Integrated Device Technology (IDT) IDT70V27S20PFI
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IDT70V27S20PFI
1179-IDT70V27S20PFI
存储器
TQFP
大陆
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IC SRAM 512KBIT 20NS 100LQFP
1最小包装量--
IDT70V27S20PFI详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT70V27S20PFI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP
表面安装
YES
Memory Types
RAM, SRAM
已出版
2012
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
100
JESD-30代码
S-PQFP-G100
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3V
界面
Parallel
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
32KX16
内存宽度
16
记忆密度
524288 bit
访问时间(最大)
20 ns
长度
14mm
座位高度(最大)
1.6mm
宽度
14mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IDT70V27S20PFI拓展信息
IDT
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