Integrated Device Technology (IDT) IDT71016S12YI8
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IDT71016S12YI8
1179-IDT71016S12YI8
存储器
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IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ
1最小包装量--
IDT71016S12YI8详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT71016S12YI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
44
Memory Types
RAM, SRAM - Asynchronous
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
1.27mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
5V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5V
界面
Parallel
电源电流-最大值
0.21mA
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.01A
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
12 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
4.5V
长度
28.575mm
座位高度(最大)
3.683mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IDT71016S12YI8拓展信息
IDT
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