Integrated Device Technology (IDT) IDT71T75602S200BGGI8

包装/外壳

BGA

表面安装

YES

引脚数

119

Memory Types

RAM, SRAM

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e1

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

119

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.5V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27mm

Reach合规守则

unknown

频率

200MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

电源

2.5V

温度等级

INDUSTRIAL

界面

Parallel

操作模式

SYNCHRONOUS

组织结构

512KX36

输出特性

3-STATE

内存宽度

36

记忆密度

18874368 bit

访问时间（最大）

3.2 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

2.38V

电压 - 供电 （最大值）

2.625V

电压 - 供电 （最小值）

2.375V

长度

22mm

座位高度(最大)

2.36mm

宽度

14mm

RoHS状态

符合RoHS标准