IDT71V416VL15BEGI
IDT71V416VL15BEGI

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416VL15BEGI

  • 收藏
  • 对比

型号

IDT71V416VL15BEGI

utmel 编号

1179-IDT71V416VL15BEGI

商品类别

存储器

封装

TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IDT71V416VL15BEGI
IDT71V416VL15BEGI Integrated Device Technology (IDT) IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IDT71V416VL15BEGI详情

Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416VL15BEGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TFBGA

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    RAM, SRAM - Asynchronous

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e1

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.75mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    48

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    3.6V

  • 最小电源电压

    3V

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    160mA

  • 访问时间

    15 ns

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 地址总线宽度

    18b

  • 密度

    4 Mb

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    16b

  • 待机电压-最小值

    3V

  • 长度

    9mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416VL15BEGI.

IDT71V416VL15BEGI拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z