Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416YS10PHI
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IDT71V416YS10PHI
1179-IDT71V416YS10PHI
存储器
TSOP
大陆
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IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
1最小包装量--
IDT71V416YS10PHI详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416YS10PHI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
TSOP
引脚数
44
Memory Types
RAM, SRAM - Asynchronous
包装
Rail/Tube
已出版
2008
JESD-609代码
e0
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
not_compliant
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
端口的数量
1
电源电流
200mA
访问时间
10 ns
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
18b
密度
4 Mb
待机电流-最大值
0.02A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
待机电压-最小值
3V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IDT71V416YS10PHI拓展信息
IDT
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