Integrated Device Technology (IDT) IDT71V65802S133BG

包装/外壳

BGA

表面安装

YES

Memory Types

RAM, SRAM

已出版

2007

JESD-609代码

e0

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

119

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

1.27mm

Reach合规守则

not_compliant

频率

133MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

119

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.465V

电源

3.3V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135V

界面

Parallel

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.3mA

组织结构

512KX18

输出特性

3-STATE

内存宽度

18

待机电流-最大值

0.04A

记忆密度

9437184 bit

访问时间（最大）

4.2 ns

I/O类型

COMMON

长度

22mm

座位高度(最大)

2.36mm

宽度

14mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant