Integrated Device Technology Inc 6116L150DB
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6116L150DB
1179-6116L150DB
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Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-16
1最小包装量--
6116L150DB详情
Integrated Device Technology Inc 6116L150DB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
DIP
Package Description
0.300 INCH, CERAMIC, DIP-16
Access Time-Max
150 ns
Number of Words
2048 words
Number of Words Code
2000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP24,.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
16
JESD-30代码
R-CDIP-T16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.08 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0003 A
记忆密度
16384 bit
筛选水平
MIL-STD-883 Class B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
长度
20.066 mm
宽度
7.62 mm
6116L150DB拓展信息
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