Integrated Device Technology Inc IDT7005L20JB
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IDT7005L20JB
1179-IDT7005L20JB
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Description: Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
1最小包装量--
IDT7005L20JB详情
Integrated Device Technology Inc IDT7005L20JB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
68
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
LCC
Package Description
QCCJ, LDCC68,1.0SQ
Access Time-Max
20 ns
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
8192 words
Number of Words Code
8000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
QCCJ
Package Equivalence Code
LDCC68,1.0SQ
Package Shape
SQUARE
Package Style
CHIP CARRIER
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
68
JESD-30代码
S-PQCC-J68
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.32 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.572 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.004 A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
MULTI-PORT SRAM
待机电压-最小值
2 V
长度
24.2062 mm
宽度
24.2062 mm
IDT7005L20JB拓展信息
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