Integrated Device Technology Inc IDT70P257L55BYGI8
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IDT70P257L55BYGI8
1179-IDT70P257L55BYGI8
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100
1最小包装量--
IDT70P257L55BYGI8详情
Integrated Device Technology Inc IDT70P257L55BYGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
100
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100
Access Time-Max
55 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
8192 words
Number of Words Code
8000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA100,10X10,20
Package Shape
SQUARE
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
100
JESD-30代码
S-PBGA-B100
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.025 mA
组织结构
8KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000008 A
记忆密度
131072 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
MULTI-PORT SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
IDT70P257L55BYGI8拓展信息
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