Integrated Device Technology Inc IDT70V3569S6DRI
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IDT70V3569S6DRI
1179-IDT70V3569S6DRI
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Description: Dual-Port SRAM, 16KX36, 6ns, CMOS, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
1最小包装量--
IDT70V3569S6DRI详情
Integrated Device Technology Inc IDT70V3569S6DRI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
208
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
QFP
Package Description
PLASTIC, QFP-208
Access Time-Max
6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
83 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
16384 words
Number of Words Code
16000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
FQFP
Package Equivalence Code
QFP208,1.2SQ,20
Package Shape
SQUARE
Package Style
FLATPACK, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
208
JESD-30代码
S-PQFP-G208
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.45 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.36 mA
组织结构
16KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.1 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
589824 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
MULTI-PORT SRAM
待机电压-最小值
3.15 V
长度
28 mm
宽度
28 mm
IDT70V3569S6DRI拓展信息
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