Integrated Device Technology Inc IDT71256L55J
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IDT71256L55J
1179-IDT71256L55J
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Description: Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
1最小包装量--
IDT71256L55J详情
Integrated Device Technology Inc IDT71256L55J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
32
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
QFJ
Package Description
QCCJ, LDCC32,.5X.6
Access Time-Max
55 ns
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
32768 words
Number of Words Code
32000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
QCCJ
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.105 mA
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.55 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00012 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
长度
13.97 mm
宽度
11.43 mm
IDT71256L55J拓展信息
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