Integrated Device Technology Inc IDT7132LA25P
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IDT7132LA25P
1179-IDT7132LA25P
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, PLASTIC, DIP-48
1最小包装量--
IDT7132LA25P详情
Integrated Device Technology Inc IDT7132LA25P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
48
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
DIP
Package Description
0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, PLASTIC, DIP-48
Access Time-Max
25 ns
Number of Words
2048 words
Number of Words Code
2000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP48,.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
附加功能
备用电池
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDIP-T48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.17 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0015 A
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
MULTI-PORT SRAM
待机电压-最小值
2 V
长度
61.849 mm
宽度
15.24 mm
IDT7132LA25P拓展信息
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