Integrated Device Technology Inc IDT7200L65J
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IDT7200L65J
1179-IDT7200L65J
逻辑 - FIFO 存储器
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FIFO, 256X9, 65ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
1最小包装量--
IDT7200L65J详情
Integrated Device Technology Inc IDT7200L65J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Style
CHIP CARRIER
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Package Code
QCCJ
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
70 °C
Number of Words Code
256
Number of Words
256 words
Moisture Sensitivity Levels
1
Clock Frequency-Max (fCLK)
12.5 MHz
Access Time-Max
65 ns
Package Description
PLASTIC, LCC-32
Part Package Code
QFJ
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
无
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
RETRANSMIT
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.08 mA
组织结构
256X9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
2304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
80 ns
IDT7200L65J拓展信息
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