Integrated Device Technology Inc IDT7201S35J
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IDT7201S35J
1179-IDT7201S35J
逻辑 - FIFO 存储器
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Description: FIFO, 512X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32
1最小包装量--
IDT7201S35J详情
Integrated Device Technology Inc IDT7201S35J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Access Time-Max
35 ns
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
512 words
Number of Words Code
512
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
QCCJ
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.125 mA
组织结构
512X9
内存宽度
9
记忆密度
4608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
45 ns
IDT7201S35J拓展信息
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