Integrated Device Technology Inc IDT7202LA40TCB
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IDT7202LA40TCB
1179-IDT7202LA40TCB
逻辑 - FIFO 存储器
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FIFO, 1KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28
1最小包装量--
IDT7202LA40TCB详情
Integrated Device Technology Inc IDT7202LA40TCB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
DIP
Package Description
0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28
Access Time-Max
40 ns
Number of Words
1024 words
Number of Words Code
1000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP28,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
RETRANSMIT
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-CDIP-T28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.14 mA
组织结构
1KX9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
记忆密度
9216 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
50 ns
IDT7202LA40TCB拓展信息
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