Integrated Device Technology Inc IDT72200L25TCB
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IDT72200L25TCB
1179-IDT72200L25TCB
逻辑 - FIFO 存储器
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Description: FIFO, 256X8, 15ns, Synchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28
1最小包装量--
IDT72200L25TCB详情
Integrated Device Technology Inc IDT72200L25TCB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
DIP
Package Description
0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28
Access Time-Max
15 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
40 MHz
Number of Words
256 words
Number of Words Code
256
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP28,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-CDIP-T28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
256X8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
2048 bit
筛选水平
MIL-STD-883 Class B
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
YES
周期
25 ns
长度
35.56 mm
宽度
7.62 mm
IDT72200L25TCB拓展信息
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