Integrated Device Technology Inc IDT72225LB10JG
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IDT72225LB10JG
1179-IDT72225LB10JG
逻辑 - FIFO 存储器
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Description: FIFO, 1KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQCC68, GREEN, PLASTIC, LCC-68
1最小包装量--
IDT72225LB10JG详情
Integrated Device Technology Inc IDT72225LB10JG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
68
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
LCC
Package Description
QCCJ, LDCC68,1.0SQ
Access Time-Max
6.5 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
1024 words
Number of Words Code
1000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
QCCJ
Package Equivalence Code
LDCC68,1.0SQ
Package Shape
SQUARE
Package Style
CHIP CARRIER
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
68
JESD-30代码
S-PQCC-J68
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.06 mA
组织结构
1KX18
座位高度-最大
4.572 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
18432 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
YES
周期
10 ns
长度
24.2062 mm
宽度
24.2062 mm
IDT72225LB10JG拓展信息
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