Integrated Device Technology Inc IDT72V2113L10PFG
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IDT72V2113L10PFG
1179-IDT72V2113L10PFG
逻辑 - FIFO 存储器
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FIFO, 256KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, GREEN, PLASTIC, TQFP-80
1最小包装量--
IDT72V2113L10PFG详情
Integrated Device Technology Inc IDT72V2113L10PFG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
80
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
QFP
Package Description
LQFP, QFP80,.64SQ
Access Time-Max
6.5 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LQFP
Package Equivalence Code
QFP80,.64SQ
Package Shape
SQUARE
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
80
JESD-30代码
S-PQFP-G80
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.45 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.035 mA
组织结构
256KX18
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
4718592 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
备用内存宽度
9
输出启用
YES
周期
10 ns
长度
14 mm
宽度
14 mm
IDT72V2113L10PFG拓展信息
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