IDT7M207S35C
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Integrated Device Technology Inc IDT7M207S35C

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型号

IDT7M207S35C

utmel 编号

1179-IDT7M207S35C

商品类别

逻辑 - FIFO 存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FIFO, 32KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS

起订量

1最小包装量--

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IDT7M207S35C
IDT7M207S35C Integrated Device Technology Inc FIFO, 32KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS

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IDT7M207S35C详情

Integrated Device Technology Inc IDT7M207S35C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    28

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Access Time-Max

    35 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    22.5 MHz

  • Number of Words

    32768 words

  • Number of Words Code

    32000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Code

    DIP

  • Package Equivalence Code

    DIP28,.6

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    微电子组件

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • HTS代码

    8542.32.00.71

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-XDMA-T28

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.56 mA

  • 组织结构

    32KX9

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    9

  • 待机电流-最大值

    0.032 A

  • 记忆密度

    294912 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    其他先进先出

  • 输出启用

    NO

  • 周期

    45 ns

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IDT7M207S35C拓展信息

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