Integrated Device Technology Inc IDT7M207S35C
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IDT7M207S35C
1179-IDT7M207S35C
逻辑 - FIFO 存储器
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FIFO, 32KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS
1最小包装量--
IDT7M207S35C详情
Integrated Device Technology Inc IDT7M207S35C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Access Time-Max
35 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
22.5 MHz
Number of Words
32768 words
Number of Words Code
32000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP28,.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
微电子组件
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-XDMA-T28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.56 mA
组织结构
32KX9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.032 A
记忆密度
294912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
45 ns
IDT7M207S35C拓展信息
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