IDT7M4048S55CB
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Integrated Device Technology Inc IDT7M4048S55CB

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型号

IDT7M4048S55CB

utmel 编号

1179-IDT7M4048S55CB

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Module, 512KX8, 55ns, CMOS

起订量

1最小包装量--

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IDT7M4048S55CB
IDT7M4048S55CB Integrated Device Technology Inc SRAM Module, 512KX8, 55ns, CMOS

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IDT7M4048S55CB详情

Integrated Device Technology Inc IDT7M4048S55CB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    32

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Access Time-Max

    55 ns

  • Number of Words

    524288 words

  • Number of Words Code

    512000

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Code

    DIP

  • Package Equivalence Code

    DIP32,.6

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    微电子组件

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    3A001.A.2.C

  • 端子表面处理

    锡铅

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-XDMA-T32

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.24 mA

  • 组织结构

    512KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.06 A

  • 记忆密度

    4194304 bit

  • 筛选水平

    MIL-STD-883 Class B (Modified)

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    SRAM MODULE

  • 待机电压-最小值

    4.5 V

  • 输出启用

    YES

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IDT7M4048S55CB拓展信息

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