Integrated Device Technology Inc IDT7MMV4101S12BGI
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IDT7MMV4101S12BGI
1179-IDT7MMV4101S12BGI
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Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
1最小包装量--
IDT7MMV4101S12BGI详情
Integrated Device Technology Inc IDT7MMV4101S12BGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
119
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
PLASTIC, BGA-119
Access Time-Max
12 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.275 mA
组织结构
128KX24
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.36 mm
内存宽度
24
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
3145728 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3 V
长度
22 mm
宽度
14 mm
IDT7MMV4101S12BGI拓展信息
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