Integrated Silicon Solution Inc IS41C44002C-50CTGI
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IS41C44002C-50CTGI
2261-IS41C44002C-50CTGI
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EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-025A, TSOP2-24/26
1最小包装量--
IS41C44002C-50CTGI详情
Integrated Silicon Solution Inc IS41C44002C-50CTGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
24
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
TSSOP2
Package Description
TSOP2, TSOP24/26,.36
Access Time-Max
50 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Equivalence Code
TSOP24/26,.36
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e6
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
24
JESD-30代码
R-PDSO-G24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
4MX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
2048
访问模式
EDO PAGE
自我刷新
NO
长度
17.14 mm
宽度
7.62 mm
IS41C44002C-50CTGI拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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