Integrated Silicon Solution Inc IS42VS32200E-10TLI
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IS42VS32200E-10TLI
2261-IS42VS32200E-10TLI
存储器
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Synchronous DRAM, 2MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86
1最小包装量--
IS42VS32200E-10TLI详情
Integrated Silicon Solution Inc IS42VS32200E-10TLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
86
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
TSOP2
Package Description
TSSOP, TSSOP86,.46,20
Access Time-Max
8 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSSOP
Package Equivalence Code
TSSOP86,.46,20
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
86
JESD-30代码
R-PDSO-G86
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm
IS42VS32200E-10TLI拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc








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