Integrated Silicon Solution Inc IS42VS32200E-75BLI
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IS42VS32200E-75BLI
2261-IS42VS32200E-75BLI
存储器
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Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-90
1最小包装量--
IS42VS32200E-75BLI详情
Integrated Silicon Solution Inc IS42VS32200E-75BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
90
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LFBGA, BGA90,9X15,32
Access Time-Max
6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.45 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
13 mm
宽度
8 mm
IS42VS32200E-75BLI拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc








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