IS43QR8K02S2A-083TBL
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Integrated Silicon Solution Inc IS43QR8K02S2A-083TBL

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型号

IS43QR8K02S2A-083TBL

utmel 编号

2261-IS43QR8K02S2A-083TBL

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR4 DRAM, 2GX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78

起订量

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IS43QR8K02S2A-083TBL
IS43QR8K02S2A-083TBL Integrated Silicon Solution Inc DDR4 DRAM, 2GX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78

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IS43QR8K02S2A-083TBL详情

Integrated Silicon Solution Inc IS43QR8K02S2A-083TBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    78

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • Package Description

    FBGA-78

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    1200 MHz

  • Number of Words

    2147483648 words

  • Number of Words Code

    2000000000

  • Operating Temperature-Max

    95 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    LFBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA78,9X13,32

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.2 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.36

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B78

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.511 mA

  • 组织结构

    2GX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.044 A

  • 记忆密度

    17179869184 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR4 DRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.26 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.14 V

  • 顺序突发长度

    8

  • 交错突发长度

    8

  • 访问模式

    双库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    14 mm

  • 宽度

    10 mm

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技术文档: Integrated Silicon Solution Inc IS43QR8K02S2A-083TBL.

IS43QR8K02S2A-083TBL拓展信息

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