Integrated Silicon Solution Inc IS46DR32801B-3DBLA1
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IS46DR32801B-3DBLA1
2261-IS46DR32801B-3DBLA1
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Description: DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA126, 10.50 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-126
1最小包装量--
IS46DR32801B-3DBLA1详情
Integrated Silicon Solution Inc IS46DR32801B-3DBLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
126
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
TFBGA,
Access Time-Max
0.45 ns
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B126
温度等级
INDUSTRIAL
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8MX32
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
记忆密度
268435456 bit
内存IC类型
DDR2 DRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
13.5 mm
宽度
10.5 mm
IS46DR32801B-3DBLA1拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







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