Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16200C-6BLA1
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IS46LR16200C-6BLA1
2261-IS46LR16200C-6BLA1
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Description: DDR DRAM, 2MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60
1最小包装量--
IS46LR16200C-6BLA1详情
Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16200C-6BLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
60
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
TFBGA,
Access Time-Max
5.5 ns
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B60
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
2MX16
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
16
记忆密度
33554432 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
长度
10 mm
宽度
8 mm
IS46LR16200C-6BLA1拓展信息
Silicon Storage Tech
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Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







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