Integrated Silicon Solution Inc IS46R16800E-6TLA1
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IS46R16800E-6TLA1
2261-IS46R16800E-6TLA1
存储器
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DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-66
1最小包装量--
IS46R16800E-6TLA1详情
Integrated Silicon Solution Inc IS46R16800E-6TLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
66
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
TSSOP, TSSOP66,.46
Access Time-Max
0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
167 MHz
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSSOP
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.22 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.003 A
记忆密度
134217728 bit
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm
IS46R16800E-6TLA1拓展信息
Silicon Storage Tech
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Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







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