Integrated Silicon Solution Inc IS46R32400E-6BLA1
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IS46R32400E-6BLA1
2261-IS46R32400E-6BLA1
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Description: DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, FBGA-144
1最小包装量--
IS46R32400E-6BLA1详情
Integrated Silicon Solution Inc IS46R32400E-6BLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
144
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
LFBGA, BGA144,12X12,32
Access Time-Max
0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
167 MHz
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Equivalence Code
BGA144,12X12,32
Package Shape
SQUARE
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B144
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.3 mA
组织结构
4MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
134217728 bit
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
12 mm
宽度
12 mm
IS46R32400E-6BLA1拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







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