Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-18BI
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IS49NLS18320-18BI
2261-IS49NLS18320-18BI
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Description: DDR DRAM, 32MX18, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144
1最小包装量--
IS49NLS18320-18BI详情
Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-18BI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
144
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TBGA,
Access Time-Max
1.875 ns
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.32
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
144
JESD-30代码
R-PBGA-B144
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX18
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
18
记忆密度
603979776 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
长度
18.5 mm
宽度
11 mm
IS49NLS18320-18BI拓展信息
Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







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