Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12832B-250B3I
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IS61NLP12832B-250B3I
2261-IS61NLP12832B-250B3I
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ZBT SRAM, 128KX32, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165
1最小包装量--
IS61NLP12832B-250B3I详情
Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12832B-250B3I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TBGA, BGA165,11X15,40
Access Time-Max
2.6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TBGA
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.25 mA
组织结构
128KX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.035 A
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
电压 - 供电 (最大值)
3.465 V
电压 - 供电 (最小值)
3.135 V
长度
15 mm
宽度
13 mm
IS61NLP12832B-250B3I拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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SST Silicon Storage Technology, Inc
Integrated Silicon Solution Inc
Silicon Storage Technology








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