Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M36-300M3LI
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IS61QDB42M36-300M3LI
2261-IS61QDB42M36-300M3LI
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DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LFBGA-165
1最小包装量--
IS61QDB42M36-300M3LI详情
Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M36-300M3LI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Access Time-Max
0.45 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
300 MHz
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LBGA
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.9 mA
组织结构
2MX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
记忆密度
75497472 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
电压 - 供电 (最大值)
1.89 V
电压 - 供电 (最小值)
1.71 V
长度
17 mm
宽度
15 mm
IS61QDB42M36-300M3LI拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Silicon Storage Tech
SST Silicon Storage Technology, Inc
Integrated Silicon Solution Inc
Silicon Storage Technology








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