Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B22M18A-300M3
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IS61QDP2B22M18A-300M3
2261-IS61QDP2B22M18A-300M3
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QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165
1最小包装量--
IS61QDP2B22M18A-300M3详情
Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B22M18A-300M3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
165
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Access Time-Max
0.45 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
300 MHz
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LBGA
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
ECCN 代码
3A991.B.2.A
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.89 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.71 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.05 mA
组织结构
2MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.28 A
记忆密度
37748736 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
QDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
长度
17 mm
宽度
15 mm
IS61QDP2B22M18A-300M3拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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