Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-200B2I
- 收藏
- 对比
IS61VPS102418A-200B2I
2261-IS61VPS102418A-200B2I
存储器
--
大陆
立即发货

Cache SRAM, 1MX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
1最小包装量--
IS61VPS102418A-200B2I详情
Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-200B2I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
119
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
BGA, BGA119,7X17,50
Access Time-Max
3.1 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
1048576 words
Number of Words Code
1000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.475 mA
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.5 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.125 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
2.38 V
长度
22 mm
宽度
14 mm
IS61VPS102418A-200B2I拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc








哦! 它是空的。