Integrated Silicon Solution Inc IS64LV6416L-12BA2
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IS64LV6416L-12BA2
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Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
1最小包装量--
IS64LV6416L-12BA2详情
Integrated Silicon Solution Inc IS64LV6416L-12BA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA48,6X8,30
Access Time-Max
12 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
65536 words
Number of Words Code
64000
Operating Temperature-Max
105 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.63 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.97 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.105 mA
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.003 A
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
长度
8 mm
宽度
6 mm
IS64LV6416L-12BA2拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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