Integrated Silicon Solution Inc IS64NLP12836EC-250B3LA3
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IS64NLP12836EC-250B3LA3
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ZBT SRAM, 128KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA165, TFBGA-165
1最小包装量--
IS64NLP12836EC-250B3LA3详情
Integrated Silicon Solution Inc IS64NLP12836EC-250B3LA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
165
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TBGA, BGA165,11X15,40
Access Time-Max
2.6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TBGA
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.465 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.285 mA
组织结构
128KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.1 A
记忆密度
4718592 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
长度
15 mm
宽度
13 mm
IS64NLP12836EC-250B3LA3拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Silicon Storage Tech
Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc








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