Integrated Silicon Solution Inc IS64VF12832EC-6.5B2LA3
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IS64VF12832EC-6.5B2LA3
2261-IS64VF12832EC-6.5B2LA3
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Cache SRAM, 128KX32, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
1最小包装量--
IS64VF12832EC-6.5B2LA3详情
Integrated Silicon Solution Inc IS64VF12832EC-6.5B2LA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
119
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
BGA, BGA119,7X17,50
Access Time-Max
6.5 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
128KX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.5 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.1 A
记忆密度
4194304 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
2.37 V
长度
22 mm
宽度
14 mm
IS64VF12832EC-6.5B2LA3拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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