Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10KLA1
- 收藏
- 对比
IS64WV2568EDBLL-10KLA1
2261-IS64WV2568EDBLL-10KLA1
存储器
--
大陆
立即发货

Description: Standard SRAM, 256KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-027, SOJ-36
1最小包装量--
IS64WV2568EDBLL-10KLA1详情
Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10KLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
36
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
SOJ
Package Description
SOJ, SOJ36,.44
Access Time-Max
10 ns
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOJ
Package Equivalence Code
SOJ36,.44
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
36
JESD-30代码
R-PDSO-J36
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.4 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.035 mA
组织结构
256KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.76 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.006 A
记忆密度
2097152 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
长度
23.49 mm
宽度
10.16 mm
IS64WV2568EDBLL-10KLA1拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。