Integrated Silicon Solution Inc IS65C51216AL-55MLA3
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IS65C51216AL-55MLA3
2261-IS65C51216AL-55MLA3
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Description: Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, LEAD FREE, MO-207, BGA-48
1最小包装量--
IS65C51216AL-55MLA3详情
Integrated Silicon Solution Inc IS65C51216AL-55MLA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
DSBGA
Package Description
BGA, BGA48,6X8,30
Access Time-Max
55 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
524288 words
Number of Words Code
512000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
512KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
8388608 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
长度
11 mm
宽度
9 mm
IS65C51216AL-55MLA3拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Silicon Storage Tech
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Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







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