Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616BLL-55BLA1
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IS65WV25616BLL-55BLA1
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Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
1最小包装量--
IS65WV25616BLL-55BLA1详情
Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616BLL-55BLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
TFBGA, BGA48,6X8,30
Access Time-Max
55 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00002 A
记忆密度
4194304 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.2 V
长度
8 mm
宽度
6 mm
IS65WV25616BLL-55BLA1拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
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Silicon Storage Tech
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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