Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616BLL-70TA3
- 收藏
- 对比
IS65WV25616BLL-70TA3
2261-IS65WV25616BLL-70TA3
存储器
--
大陆
立即发货

Description: 256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
1最小包装量--
IS65WV25616BLL-70TA3详情
Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616BLL-70TA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
44
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
TSOP2
Package Description
PLASTIC, TSOP2-44
Access Time-Max
70 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00006 A
记忆密度
4194304 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.2 V
长度
18.415 mm
宽度
10.16 mm
IS65WV25616BLL-70TA3拓展信息
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Silicon Storage Tech
Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。