IS67WVE2M16TALL-70BA1
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Integrated Silicon Solution Inc IS67WVE2M16TALL-70BA1

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型号

IS67WVE2M16TALL-70BA1

utmel 编号

2261-IS67WVE2M16TALL-70BA1

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48

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IS67WVE2M16TALL-70BA1
IS67WVE2M16TALL-70BA1 Integrated Silicon Solution Inc Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48

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IS67WVE2M16TALL-70BA1详情

Integrated Silicon Solution Inc IS67WVE2M16TALL-70BA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    48

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • Package Description

    6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48

  • Access Time-Max

    70 ns

  • Number of Words

    2097152 words

  • Number of Words Code

    2000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.75 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B48

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    2MX16

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    33554432 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    PSEUDO STATIC RAM

  • 长度

    8 mm

  • 宽度

    6 mm

0个相似型号

技术文档: Integrated Silicon Solution Inc IS67WVE2M16TALL-70BA1.

IS67WVE2M16TALL-70BA1拓展信息

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