Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS25WP512M-JLLE

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

WSON-8

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

8-WSON (8x6)

终端数量

8

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Supply Voltage-Min

1.7 V

Supply Voltage-Max

1.95 V

Active Read Current - Max

17 mA

Interface Type

SPI

Maximum Clock Frequency

133 MHz

Timing Type

Synchronous

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 105 C

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

480

Unit Weight

0.134952 oz

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

HVSON,

Package Style

SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

105 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS25WP512M-JLLE

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

HVSON

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

1.71

系列

IS25WP512M

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.1.A

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.51

技术

FLASH - NOR (SLC)

电压 - 供电

1.7V ~ 1.95V

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N8

电源电压-最大值(Vsup)

1.95 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.65 V

内存大小

512 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

112 MHz

内存格式

FLASH

内存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

数据总线宽度

8 bit

组织结构

64 M x 8

座位高度-最大

0.8 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

50µs, 1ms

记忆密度

536870912 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

FLASH

编程电压

1.8 V

备用内存宽度

1

组织的记忆

64M x 8

宽度

6 mm

长度

8 mm